La china ChangXin Memory Technologies anunció una nueva arquitectura de semiconductores que permitiría aumentar hasta un 50% la densidad de almacenamiento. El desarrollo fortalece la capacidad tecnológica del país asiático, aunque las acciones del sector retrocedieron tanto en los mercados chinos como en Wall Street.

La compañía ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunció avances significativos en el desarrollo de una nueva arquitectura para memorias DRAM, componentes esenciales de computadoras, servidores y sistemas de inteligencia artificial.

El portal chino Sina informó que el presidente de la empresa, Cao Kanyu, presentó los resultados durante la cuarta Conferencia de Circuitos Integrados y Chiplets. La innovación consiste en una arquitectura denominada 4F², basada en transistores de diseño propio, que permitiría incrementar entre un 30% y un 50% la densidad de almacenamiento respecto de las estructuras convencionales.

CXMT prevé presentar antes de finalizar 2026 una nueva generación de memorias DDR5 RDIMM, utilizadas principalmente en servidores.

El avance representa un paso importante en el desarrollo de tecnologías nacionales para la industria de los semiconductores. La arquitectura 4F² permite almacenar más información en una misma superficie de silicio, con posibilidades de reducir costos y mejorar la eficiencia de los dispositivos.

Según Sina, el calendario anunciado por CXMT se adelanta aproximadamente dos años a la hoja de ruta difundida por Samsung para una tecnología comparable. De concretarse su producción industrial en condiciones competitivas, la innovación podría fortalecer la posición de los fabricantes chinos frente a las compañías estadounidenses, surcoreanas y japonesas que actualmente dominan buena parte del mercado internacional de memorias.

Sin embargo, el anuncio coincidió con una caída de las cotizaciones de las empresas del sector en la Bolsa china. De acuerdo con Sina, el índice de compañías de memorias informáticas de Tonghuashun cerró el 12 de octubre en 2.331,48 puntos, con una baja del 2,38% y una salida neta de capitales de 6.644 millones de yuanes. El retroceso afectó a distintas empresas que habían registrado fuertes subas anteriores, entre ellas GigaDevice, Biwin Storage, Longsys y Derenli. La publicación señaló que esta corrección bursátil se produjo pese a las perspectivas favorables de la industria y al fortalecimiento de las capacidades tecnológicas nacionales.

El comportamiento de las acciones contrasta con la evolución del mercado de memorias. Según los datos recogidos por Sina, durante el tercer trimestre de 2026 los precios contractuales de las memorias DRAM convencionales aumentaron entre un 13% y un 18%. La expansión de los centros de datos y de la infraestructura destinada a inteligencia artificial continúa impulsando la demanda de memorias para servidores y de dispositivos de alto ancho de banda, conocidos como HBM. La consultora TrendForce prevé que el déficit de oferta de DRAM podría ampliarse durante 2027, lo que contribuiría a mantener elevados los precios. En ese contexto, el desarrollo de CXMT aparece como parte de una estrategia destinada a reducir la dependencia tecnológica externa y ampliar la participación de fabricantes nacionales en segmentos de mayor valor agregado.

La repercusión también llegó a Wall Street. Infobae informó que las acciones de Micron retrocedieron un 3,8% y las de SanDisk un 5,9%, mientras que otros fabricantes internacionales de memorias y dispositivos de almacenamiento registraron pérdidas.

La publicación argentina vinculó la reacción de los inversores con el temor a que el crecimiento de la industria china modifique las condiciones de competencia en un mercado históricamente dominado por empresas estadounidenses, surcoreanas y japonesas. Sin embargo, el impacto comercial de la nueva arquitectura dependerá de que CXMT consiga producirla masivamente con niveles adecuados de rendimiento, confiabilidad y costos.

El anuncio motivó además una intervención de Elon Musk, quien destacó la capacidad de China para transformar innovaciones tecnológicas en producción industrial de gran escala. Según recogió Infobae, el empresario señaló que, cuando las compañías chinas dominan la fabricación de un producto, pueden alcanzar volúmenes superiores a los del resto del mundo, como ocurrió con las baterías de litio y los paneles solares. Musk consideró que algo similar podría suceder con determinadas memorias informáticas, aunque reconoció que las tecnologías más avanzadas, especialmente las memorias HBM utilizadas en inteligencia artificial, presentan dificultades mayores.